* Las imágenes se exhiben con fines ilustrativos.
Marca: Hiksemi
Marca:: HIKSEMI
Factor de forma: M.2 2280
Línea:: NVME FUTURE
Capacidad: 512GB
Capacidad:: 512G
Máx. Sec. Lectura (MB/S): 5000 MB/s
Velocidad Maxima de lectura:: 5000 mbs
Velocidad maxima de escritura:: 2500 mbs
Máx. Sec. Escritura (MB/S): 2500 MB/s
TBW:: 900TB
Máx. Ran IOPS de lectura 4K: 430K
Máx. Ran IOPS de escritura 4K: 530K
Garantia:: 5 años
Máx. Consumo de energía: 1.1W
TBW: 900TB
Medio de almacenamiento: 3D TLC
Interfaz: PCIe Gen4x4
MTBF: 2.000.000 horas
Temperatura de operación: 0 °C to 70 °C
Temperatura de almacenamiento: -40 °C to 85 °C
Peso: 7g
Garantia: 5 años
Part Number: HS-SSD-FUTURE ECO 512G
